Канал за предаване на технологията Power EMI
Предавателен канал за провеждане на смущения
(1) Капацитивно свързване
(2) Индуктивно свързване
(3) Резистивно свързване
а. Съпротивително проводящо свързване, генерирано от вътрешно съпротивление на обществено захранване
b. Съпротивително проводящо свързване, генерирано от импеданс на общ заземяващ проводник
° С. Съпротивително проводящо свързване, генерирано от импеданс на обществени линии
Технология за потискане на EMI за импулсни захранвания
(1) Намалете dv/dt и di/dt (намалете техния пик и наклон)
(2) Разумно прилагане на варистори за намаляване на пренапрежението
(3) Амортизираща мрежа за потискане на превишаване
(4) Диоди с характеристики на меко възстановяване за намаляване на високочестотните EMI
(5) Активна корекция на фактора на мощността и други технологии за хармонична корекция
(6) Приемане на разумно проектиран филтър за електропроводи
(7) Разумно лечение за заземяване
(8) Ефективни защитни мерки
(9) Разумен дизайн на печатни платки
Превключваща мощност EMI Технология Източници на смущения
(1) Тръба на превключвателя на захранването
Превключвателят на захранването работи в състояние на преход от бърз цикъл Вкл. Изкл., като dv/dt и di/dt се променят бързо. Следователно превключвателят на захранването е не само основният източник на смущения при свързване на електрическо поле, но и основният източник на смущения при свързване на магнитно поле.
(2)
Източникът на EMI на високочестотните трансформатори се отразява главно в бързата циклична трансформация di/dt, съответстваща на индуктивността на утечка, така че високочестотните трансформатори са важни източници на смущения за свързване на магнитно поле.
(3) Изправителен диод
Източникът на EMI на токоизправителните диоди се отразява главно в характеристиките на обратно възстановяване. Прекъснатите точки на обратния възстановителен ток ще генерират високо dv/dt в индукторите (индуктивност на извода, индуктивност на разсейване и т.н.), което води до силни електромагнитни смущения.
(4) PCB
За да бъдем точни, pCB е свързващият канал на гореспоменатите източници на смущения и качеството на pCB директно съответства на качеството на потискане на източника на EMI.
Контрол на индуктивността на утечка във високочестотни трансформатори
Индуктивността на утечка на високочестотни трансформатори е една от важните причини за генерирането на пиково напрежение при изключване на захранването. Следователно контролирането на индуктивността на утечка се превърна в основен проблем за решаване на EMI, причинени от високочестотни трансформатори.
Две входни точки за намаляване на индуктивността на утечка на високочестотен трансформатор: електрически дизайн и дизайн на процеса!
(1) Изберете подходящо магнитно ядро, за да намалите индуктивността на изтичане. Индуктивността на утечка е пропорционална на квадрата на оригиналните странични завъртания и намаляването на броя на навивките значително ще намали индуктивността на утечка.
(2) Намалете изолационния слой между намотките. Сега има изолационен слой, наречен "златен тънък филм", с дебелина 20-100um и импулсно пробивно напрежение от няколко хиляди волта.
(3) Увеличете връзката между намотките и намалете индуктивността на утечката.
