Как да измерим качеството на транзистор с помощта на мултицет (указател)
При пътните тестове могат да бъдат разделени на тестове при включено състояние или тестване при изключено състояние. Базовото напрежение може да бъде измерено по време на тестване, докато е включен. Типичното напрежение за силиконовите тръби е {{0}}.7V. Напрежението на германиевата тръба е 0.2-0.3V. Показва нормална работа. В противен случай е в състояние на прекъсване. Когато не е включен, измерете дали предното и обратното съпротивление на PN прехода на транзистора е нормално. Някои транзистори не могат да бъдат тествани правилно поради малки резистори или индуктори, свързани паралелно във веригата и могат да бъдат премахнати за измерване.
Изводите на транзистора трябва да бъдат правилно идентифицирани, в противен случай свързаната верига може не само да не функционира правилно, но и да изгори транзистора. Методът за преценка на качеството на транзистора с помощта на стрелков мултиметър е както следва:
① Тествайте NPN транзистор: Настройте мултицетния омметър на "R × 100" или "R × lk", свържете черната сонда към основата и свържете червената сонда към другите два полюса последователно. Ако стойностите на съпротивлението, измерени два пъти, са малки, тогава свържете червената сонда към основата и свържете черната сонда към другите два полюса последователно. Ако стойностите на съпротивлението, измерени два пъти, са големи, това показва, че транзисторът е добър.
② Тествайте PNP транзистор: Настройте мултицетния омметър на "R × 100" или "R × lk", свържете червената сонда към основата и свържете черната сонда към другите два полюса последователно. Ако стойностите на съпротивлението, измерени два пъти, са малки, свържете черната сонда към основата и свържете червената сонда към другите два полюса последователно. Ако стойностите на съпротивлението, измерени два пъти, са големи, това показва, че транзисторът е добър.
Когато маркировките на транзистора са неясни, може да се използва мултицет, за да се определи предварително качеството и вида на транзистора (тип NPN или тип PNP) и да се разграничат трите електрода e, b и c. Методът на тестване е както следва:
① Използване на мултицет тип стрелка за определяне на типа на база b и транзистор: Настройте омметъра на мултиметъра на "R × 100" или "R × lk", приемете, че единият полюс на транзистора е "базата", свържете черната сонда към предполагаемата основа и свържете червената сонда към другите два полюса последователно. Ако стойностите на съпротивлението, измерени два пъти, са много малки (или около няколкостотин ома до няколко хиляди ома), тогава предполагаемата база е правилна и тестваният транзистор е транзистор тип NPN; Както по-горе, ако стойностите на съпротивлението, измерени два пъти, са големи (около няколко хиляди до няколко десетки хиляди ома), тогава предполагаемата база е правилна и тестваният транзистор е транзистор тип PNP. Ако стойностите на съпротивлението, измерени два пъти, са една голяма и една малка, тогава първоначално приетата основа е неправилна. В този случай е необходимо да се приеме другият електрод за "база" и да се повтори горният тест.
② За да определите колектора c и емитера e: все пак настройте омметъра на мултиметъра тип стрелка на "R × 100" или "R × 1k". Вземайки NPN тръбата като пример, свържете черната сонда към предполагаемия колектор c и червената сонда към предполагаемия емитер e и притиснете b и c електродите с ръка (без директен контакт между b и c). През човешкото тяло свържете резистор на отклонение между b и C, прочетете стойността на съпротивлението, показана на главата на измервателния уред, и след това свържете обратно двете сонди за повторно тестване. Ако стойността на съпротивлението, измерена * * пъти, е по-малка от * * пъти, това показва, че първоначалната хипотеза е вярна, тъй като стойностите на съпротивлението на c и e показват, че токът, преминаващ през мултиметъра, е голям и отклонението е нормално. В наши дни стрелковите мултиметри имат интерфейси за измерване на коефициента на усилване (Hfe) на транзисторите. Можете ли да оцените коефициента на усилване на транзистора.
