Захранване в режим на превключване EMI технология източник на смущения
(1) Намалете dv/dt и di/dt (намалете техния пик и наклон)
(2) Разумно прилагане на варистори за намаляване на напрежението от удар
(3) Амортизиращата мрежа потиска превишаването
(4) Диоди с характеристики на меко възстановяване за намаляване на високочестотните EMI
(5) Активна корекция на фактора на мощността и други техники за хармонична корекция
(6) Използване на разумно проектиран филтър за електропровода
(7) Разумно лечение за заземяване
(8) Ефективни защитни мерки
(9) Разумен дизайн на печатни платки
Захранване в режим на превключване EMI технология източник на смущения
(1) Тръба на превключвателя на захранването
Превключвателят на захранването работи в състояние на преход от бърз цикъл Вкл. Изкл., като dv/dt и di/dt се променят бързо. Следователно превключвателят на захранването е не само основният източник на смущения при свързване на електрическо поле, но и основният източник на смущения при свързване на магнитно поле.
(2)
Източникът на EMI на високочестотните трансформатори се отразява главно в трансформацията на бързия цикъл di/dt, съответстваща на индуктивността на утечка, така че високочестотните трансформатори са важен източник на смущения за свързване на магнитно поле.
(3) Изправителен диод
Източникът на EMI на токоизправителните диоди се отразява главно в характеристиките на обратно възстановяване. Прекъснатата точка на обратния възстановителен ток ще генерира висока dv/dt индуктивност (индуктивност на проводника, индуктивност на разсейване и т.н.), което води до силни електромагнитни смущения.
(4) PCB
За да бъдем точни, pCB е свързващият канал на гореспоменатите източници на смущения и качеството на pCB директно съответства на качеството на потискането на източника на EMI, споменато по-горе.
Контрол на индуктивността на утечка във високочестотни трансформатори
Индуктивността на утечка на високочестотни трансформатори е една от важните причини за генерирането на пиково напрежение при изключване на захранването. Следователно контролирането на индуктивността на утечка се превърна в основен проблем за решаване на EMI, причинени от високочестотни трансформатори.
Две входни точки за намаляване на индуктивността на утечка във високочестотни трансформатори: електрически дизайн и дизайн на процеса!
(1) Изберете подходящата магнитна сърцевина, за да намалите индуктивността на утечка. Индуктивността на утечка е право пропорционална на квадрата на оригиналните странични завъртания и намаляването на броя на навивките значително ще намали индуктивността на утечка.
(2) Намалете изолационния слой между намотките. Сега има изолационен слой, наречен "златен тънък филм" с дебелина 20-100um и импулсно пробивно напрежение от няколко хиляди волта.
(3) Увеличете връзката между намотките и намалете индуктивността на утечката.
