Захранване в режим на превключване EMI технология Канал за предаване
Технология за потискане на EMI за импулсно захранване
(1) Намалете dv/dt и di/dt (намалете техния пик и забавете техния наклон)
(2) Разумно прилагане на варистори за намаляване на пренапрежението
(3) Амортизиращата мрежа потиска превишаването
(4) Използване на диоди с характеристики на меко възстановяване за намаляване на високочестотните EMI
(5) Активна корекция на фактора на мощността и други техники за хармонична корекция
(6) Приемане на добре проектиран филтър за захранваща линия
(7) Разумно лечение за заземяване
(8) Ефективни защитни мерки
(9) Разумен дизайн на печатна платка
Импулсно захранване EMI технология източник на смущения
(1) Тръба на превключвателя на захранването
Превключвателят на захранването работи в състояние на бърз цикъл Вкл. Изкл., като dv/dt и di/dt се променят бързо. Следователно превключвателят на захранването е не само основният източник на смущения при свързване на електрическо поле, но и основният източник на смущения при свързване на магнитно поле.
(2) Източникът на EMI на високочестотни трансформатори се отразява главно в бързата циклична трансформация на di/dt, съответстваща на индуктивността на утечка, което прави високочестотните трансформатори важен източник на смущения за свързване на магнитно поле.
(3) Изправителен диод
Източникът на EMI на токоизправителните диоди се отразява главно в характеристиките на обратно възстановяване. Прекъснатата точка на обратния възстановителен ток ще генерира висока dv/dt индуктивност (индуктивност на извеждане, индуктивност на разсейване и т.н.), което води до силни електромагнитни смущения.
(4) pCB
По-точно, pCB е свързващият канал на гореспоменатия източник на смущения и качеството на pCB директно съответства на ефективността на потискане на гореспоменатия източник на EMI.
Контрол на индуктивността на утечка във високочестотни трансформатори
Индуктивността на утечка на високочестотните трансформатори е една от важните причини за генерирането на пиково напрежение, когато превключвателите на захранването са изключени. Следователно, контролирането на индуктивността на утечка се превърна в основен проблем за решаване на EMI, причинени от високочестотни трансформатори.
намалявам
Две входни точки за индуктивност на утечка на малки високочестотни трансформатори: електрически дизайн и дизайн на процеса!
(1) Изберете подходящо магнитно ядро, за да намалите индуктивността на утечка. Индуктивността на утечка е пропорционална на квадрата на оригиналните навивки на ръба и намаляването на навивките ще намали значително индуктивността на утечка.
(2) Намалете изолационния слой между намотките. Сега има изолационен слой, наречен "златен филм" с дебелина 20-100um и импулсно пробивно напрежение от няколко хиляди волта.
(3) Увеличете степента на свързване между намотките и намалете индуктивността на утечката.
