Инфрачервена микроскопия в електронната индустрия при приложението на малки устройства
I. Насока на приложение: инфрачервена микроскопия при температурни тестове на малки полупроводникови устройства
II. Предистория Въведение:
С развитието на нанотехнологиите, нейната миниатюризация отгоре надолу се използва все повече в областта на полупроводниковите технологии. В миналото наричахме IC технологията „микроелектронна“ технология, защото размерът на транзисторите е в микрона (10-6 метър) скала. Полупроводниковата технология обаче напредва толкова бързо, че на всеки две години напредва с едно поколение и се свива наполовина от първоначалния си размер, което е известно като закон на Мур. Преди около 15 години полупроводниците започнаха да навлизат в субмикронната или по-малка от микронна ера, последвана от дълбоката субмикронна или много по-малка от микронна ера. До 2001 г. транзисторите са дори по-малки от 0,1 микрона или по-малко от 100 нанометра. Следователно е ерата на наноелектрониката и повечето от бъдещите интегрални схеми ще бъдат направени чрез нанотехнологии.
Трето, техническите изисквания:
Понастоящем основната форма на повреда на електронното устройство е термичната повреда. Според статистиката 55% от повредите на електронните устройства са причинени от температура, надвишаваща определената стойност, а с повишаването на температурата степента на повреда на електронните устройства нараства експоненциално. Най-общо казано, работната надеждност на електронните компоненти е изключително чувствителна към температурата, температурата на устройството на ниво 70-80 градус при всяко увеличение с 1 градус, надеждността ще падне с 5%. Следователно има нужда от бързо и надеждно откриване на температурата на устройствата. Тъй като размерът на полупроводниковите устройства става все по-малък и по-малък, температурната и пространствената разделителна способност на оборудването за откриване поставя по-високи изисквания.
Четвърто, термалната карта за заснемане на обекта (местоположение: модел на известни изследователски институти: INNOMETE SI330)
