Как да използвате мултицет за откриване на качеството на тръбите на полевия ефект?
Поради наличието на амортизиращ диод между DS полюсите на често използваните MOSFET, работата на MOSFET може да се определи чрез използване на нивото на диод на цифров мултицет за откриване на спада на диодното напрежение между DS полюсите. Подробният метод за откриване е следният.
Завъртете превключвателя на предавките на цифровия мултицет към диодния режим, свържете червената сонда към S полюса и черната сонда към D полюса. По това време екранът на мултицета ще покаже стойността на спад на напрежението на диода между DS полюсите. Стойността на спад на напрежението на транзисторите на полето с висока мощност обикновено е между 0. 4 и 0. 8V (най-вече около 0. 6V); Не трябва да има спад на напрежението между черната сонда, свързана към S полюса, червената сонда, свързана с D полюса, и G полюса и други пинове (например, в транзистор на полето с N-канал, транзисторът на полета, който е свързан с каналния транзистор, трябва да има стойността на спад на напрежението, когато червената сонда е свързана към D полюса и черната сонда е свързана към полюса на S). Напротив, това показва, че транзисторът на полето е повреден.
Транзисторите на полевия ефект обикновено се повреждат от разпадане и в този случай щифтовете обикновено са в състояние на късо съединение. Следователно стойността на спад на напрежението между щифтовете също трябва да бъде OV. След всяко измерване на транзистора на полето на MOS на полето ще бъде таксувано малко количество заряд на кондензатора на GS Junction, установявайки UGS на напрежението. Когато се измерва отново, сондата може да не се движи (ако се използва цифров мултицет, грешката в измерването ще бъде голяма). По това време за кратко GS терминалите GS за кратко.
Повредата на транзисторите на полето обикновено се причинява от срив и късо съединение. По това време, измервайки с мултицет, щифтовете обикновено се свързват. След като транзисторът на полето е повреден, по принцип няма очевидна повреда на външния вид. За силно прекомерни повредени транзистори на полеви ефекти, той може да избухне.
