Приложение на микроскопа в стратегическа нововъзникваща индустрия за светодиоди
1, Въвеждане на сапфирени субстратни материали
Поради добрите изолационни свойства на сапфира, диелектричните загуби са малки, устойчивост на висока температура, устойчивост на корозия. Добра топлопроводимост, механичната якост е достатъчно висока. И може да се обработва в равна повърхност. Предавателната лента е широка. Следователно, широко използвани в индустрията, националната отбрана, научните изследвания в много области. В същото време е и добър субстратен материал за широка гама от диоди, излъчващи светлина. В поколението на светодиоди е * обещаващо да се превърне в семейство светодиоди с висока яркост на субстрат от сапфирен субстрат от следващото поколение флуоресцентни лампи, полупроводникови материали за субстрат на излъчващи светлина устройства. Понастоящем тези диоди с висока яркост, излъчващи светлина, са широко използвани в рекламата, светофарите, светлините на инструментите; и хирургически светлини и други полета. С нарастващото приложение на светодиоди с висока яркост.
LED сапфир (Sapphire) е монокристал от алуминиев оксид, известен още като корунд. Сапфирният кристал има отлични оптични свойства, механични свойства и химическа стабилност, висока якост, твърдост, устойчивост на измиване, може да бъде близо до 2000 градуса висока температура при тежки условия. Според изследвания има само четири субстратни материала, които могат да бъдат приложени към светодиоди (вижте таблица I по-долу). Сапфирът, като важен технологичен кристал, вече е формирал по-модерни и зрели приложения в LED индустрията.
2. Приложения
С помощта на поляризационния микроскоп на Leica е възможно да се идентифицира необичайно двойно пречупване в сапфирените кристали. При определени обстоятелства, с помощта на конусен светлинен микроскоп, можете да наблюдавате интерферентната картина на кристала, да определите аксиалността на кристала, използвана за наблюдение дали посоката на всяка пластина е еднаква, за да прецените, че субстратът е добър или лошо.
Микроскоп Leica, сканиращ електронен микроскоп в производството на LED епитаксиални пластини, приложения за процес на подготовка на LED чипове
1, Въвеждане на LED епитаксиална пластина
Растежът на LED епитаксиална вафла на основния принцип е: в парче нагряване до подходящата температура на субстрата субстрат (главно сапфир и, SiC, Si), газообразното вещество InGaAlP контролиран транспорт до повърхността на субстрата, растежът на специфичен монокристален филм. Настоящата технология за растеж на LED епитаксиални вафли използва главно метод за химическо отлагане на пари на органични метали (MOCVD)
2, въвеждане на LED чип
LED чипът, известен също като LED чип, излъчващ светлина, е основният компонент на led светлината, който също се нарича PN преход. Основната му функция е: да преобразува електрическата енергия в светлинна енергия, основният материал на чипа е монокристален силиций. Полупроводниковият чип се състои от две части, едната част е P-тип полупроводник, в който доминират дупките, другият край е N-тип полупроводник, от тази страна е предимно електронен. Но когато тези два полупроводника са свързани, между тях се образува PN преход. Когато токът действа върху тази подложка през жицата, електроните се изтласкват към P областта, където електроните се смесват с дупките и след това се излъчва енергия под формата на фотони, което е принципът на LED луминесценцията. А дължината на вълната на светлината, която е цветът на светлината, се определя от образуването на материали за PN преход.
3, Приложение:
a) Използвайте SEM за откриване на информацията за морфологията на дислокационната корозия на кристалната повърхност след растеж на епитаксиална пластина;
Значението, предоставено от морфологията на дислокационната корозия на кристалната повърхност: дислокационната корозия на всяка проба има различни форми и кристалът принадлежи към точковата група и структурата на кристала се определя от ролята на химическия корозивен агент е да унищожи молекулите и атомите в рамките на кристалните взаимодействия между свързващата, свързващата сила на по-малките първо трябва да бъдат унищожени, така че да образуват определена форма на корозията на корозията на определено място, така че добър образ на корозията на корозията на място е детайлите на ** изобразяването, може да бъде напълно въплътено в Качеството на модела на растеж на кристалите.
